第九百七十六章 ：那就分担点压力好了！ (第1/2页)

视察过碳基芯片实验室，深入的了解清楚了目前星海研究院这边碳基芯片的研究情况后，一行人便离开了栖霞工业园区。
　　
　　回到紫金山脚下的别墅，进入客厅后徐川喊了一声。
　　
　　“小灵，帮我收集一下今年的‘ISSCC国际固态电路会议’的相关报告，重点是处理器和通信系统级芯片相关的内容。”
　　
　　话音落下，客厅中便响起了AI学术小助手的回应。
　　
　　“好的！主人。”
　　
　　迈着脚步，徐川也没有停留，朝着洗漱间走去，准备先去洗把脸清醒一下。
　　
　　ISSCC国际固态电路会议，英文全名叫做InternationalSolid-StateCircuitsConference，是全球学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别的会议。
　　
　　这场每年上半年在米国旧金山举办的会议，被誉为“集成电路设计领域的奥林匹克大会”。
　　
　　而会议的主办方，是国际电气与电子工程师协会。
　　
　　这个始于1953年的ISSCC国际固态电路年度会议的峰会，至今已经有七十多年的历史了。在国际学术、产业界都受到极大关注，每年都会吸引了超过3000名来自世界各地工业界和学术界的参加者。
　　
　　最关键的是，在ISSCC七十多年的历史里，众多集成电路历史上里程碑式的发明都是在这上面上首次披露。
　　
　　比如1962年展出的世界上第一个TTL电路；1968展出的世界上第一个集成模拟放大器电路。
　　
　　还有现在大众更熟悉的GHz微处理器，多核处理器等等芯片和设计，也都是在这场世界瞩目的峰会上展出的。
　　
　　而这种顶层的峰会，往往并不仅仅只对工业界开放。
　　
　　很多时候，除了英特尔、英伟达、高通、三星等芯片领域的顶尖公司会在会场上展示出今年最新的产品外，还会有半导体界内的顶尖学者参与，公开讲课或者是展示论文技术等等。
　　
　　毫不夸张的说，这场峰会上公开的产品和技术，就是当年各大厂商最新的产品，以及硅基芯片未来几年的发展道路。
　　
　　擦掉脸上的水渍后，徐川坐到了电脑前，点开了AI小助手帮他收集好的报告。
　　
　　2025年的ISSCC国际固态电路会议依旧是在米国旧金山举办，参与这场会议的专家学者超过了三千五百人。
　　
　　而小灵已经按照他的吩咐，将这场峰会的重要内容整理出来了。
　　
　　映入他眼中的第一条，就是英伟达CEO黄仁勋的演讲。
　　
　　站在宽敞的舞台上，穿着皮衣的，满头白发的黄仁勋望向台上虚无坐席的报告厅，脸上带着笑容。
　　
　　“尊敬的各位来宾，我非常荣幸能再次站在这里。首先，我要感谢IEEE固态电路学为我们提供了这个举办活动的场所”
　　
　　“在开始深入讨论之前，我想先强调一点：英伟达位于计算机图形学、模拟和人工智能的交汇点上，这构成了我们公司的灵魂.”
　　
　　“近二十年来，我们一直致力于加速计算的研究。比如CUDA技术增强了CPU的功能，将那些特殊处理器能更高效完成的任务卸载并加速。”
　　
　　“.本次我们推出的全新BlackwellUltraAI芯片，采用HBM4记忆芯片，台积电3纳米顶尖工艺制造，是新一代的AI芯片与超级计算平台的重点核心。”
　　
　　“从名字上就可以看出来，它是专门为AI与超级计算平台打造的一枚芯片。”
　　
　　“而从性能上，BlackwellUltra也完全足够担当起这份名誉！”
　　
　　“它可以为大语言模型（LLM）推理负载在同级别工艺芯片对比下，提供至少30倍的性能提升，并将成本和能耗降低25倍。”
　　
　　“简单的来说，如果你购买它，那么云端处理数据上，你每投入1米元，你就能获得高达60倍的性能提升。”
　　
　　“加速100倍，而功率仅增加3倍，成本仅上升1.5倍。节省的费用是实实在在的！”
　　
　　“毫不夸张的说，全新BlackwellUltraAI芯片，将是全球最强大的芯片！”
　　
　　当演讲到这里的时候，台下就已经骚动起来了。
　　
　　全新的BlackwellUltraAI芯片，专门为AI与超级计算平台打造，可以提供高达的30倍的性能提升，并且将成本和能耗在原有的基础上降低整整25倍！
　　
　　这样的芯片，如果性能真的像这位英伟达的总裁所说的一样，那它的确是一枚超级芯片！
　　
　　众所周知，尽管随着技术的进一步提升，原本因量子遂穿效应而限制的7纳米工艺如今虽然已不再是限制硅基芯片的门槛。
　　
　　但5纳米的芯片制备工艺依旧是大部分代工厂的工艺极限，而5纳米之下的3芯片，仅有少部分的厂商，比如台积电、三星等少数顶尖晶圆代工厂能够生产。
　　
　　尤其是到了3纳米，2纳米进程后，硅基芯片面临的问题众多。
　　
　　无论是材料本身的限制，还是量子遂穿效应对电子的影响越来越大，都是困扰硅基芯片性能高速发展的再想在芯片制程上下功夫提升芯片的性能已经很困难。
　　
　　比如尽管台积电在3纳米采用的GAAFET全环绕栅极晶体管技术，虽然的确减少了电能泄漏，提高了芯片的性能和功效。
　　
　　但与5nm工艺相比，2nm工艺在保持相同能耗和复杂度的前提下，性能提升也只有10%-15%左右而已。
　　
　　而英伟达打造的这枚全新的BlackwellUltraAI芯片，相对比他们此前生产的5纳米芯片来说，却是可以提供高达的30倍的性能提升。
　　
　　虽然说芯片的性能远远不能单纯的看倍数，毕竟这是一枚专门为AI和大数据打造的芯片，在大语言模型（LLM）推理负载上肯定会更优秀。
　　
　　但能够基于HBM4记忆芯片的基础，这枚全新的BlackwellUltraAI芯片，也完全可以称得上是黑科技了。
　　
　　看着台下听众脸上一片震撼的神情，感受着那窸窸窣窣嘈杂的讨论声，黄仁勋脸上浮现出一抹自豪的笑容。
　　
　　

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